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產(chǎn)品展示
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>> 二三極管 場效應(yīng) 晶閘管等
>> 可控硅 晶閘管 IGBT
FGA25N120
※詳細介紹
1.電流參數(shù)：IGBT管最大集電極電流=50A IGBT管最大峰值電流=90A
2.電壓參數(shù):ICBT場效應(yīng)晶體管的集電極-發(fā)射極電壓VCES=1200V 控制極-發(fā)射極閾值電壓VGES=±20V
3.功率：耗散功率PD=312W
4.封裝：TO-3PN
2.電壓參數(shù):ICBT場效應(yīng)晶體管的集電極-發(fā)射極電壓VCES=1200V 控制極-發(fā)射極閾值電壓VGES=±20V
3.功率：耗散功率PD=312W
4.封裝：TO-3PN
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